Publication:
Few-Layer Graphene as an Efficient Buffer for GaN/AlN Epitaxy on a SiO2/Si Substrate: A Joint Experimental and Theoretical Study

Дата
2022
Авторы
Borisenko, D. P.
Gusev, A. S.
Kargin, N. I.
Dobrokhotov, P. L.
Timofeev, A. A.
Labunov, V. A.
Mikhalik, M. M.
Katin, K. P.
Maslov, M. M.
Dzhumaev, P. S.
Показать ещё 9
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
Single-layer (SLG)/few-layer (FLG) and multilayer graphene (MLG) (andgt;15 layers) samples were obtained using the CVD method on high-textured Cu foil catalysts. In turn, plasma-assisted molecular beam epitaxy was applied to carry out the GaN graphene-assisted growth. A thin AlN layer was used at the initial stage to promote the nucleation process. The effect of graphene defectiveness and thickness on the quality of the GaN epilayers was studied. The bilayer graphene showed the lowest strain and provided optimal conditions for the growth of GaN/AlN. Theoretical studies based on the density functional theory have shown that the energy of interaction between graphene and AlN is almost the same as between graphite sheets (194 mJ/m2). However, the presence of vacancies and other defects as well as compression-induced ripples and nitrogen doping leads to a significant change in this energy. © 2022 by the authors.
Описание
Ключевые слова
buffer layer , CVD graphene , gallium nitride , GaN-on-Si technology , GaN/AlN , molecular beam epitaxy
Цитирование
Few-Layer Graphene as an Efficient Buffer for GaN/AlN Epitaxy on a SiO2/Si Substrate: A Joint Experimental and Theoretical Study / Borisenko, D.P. [et al.] // Applied Sciences (Switzerland). - 2022. - 12. - № 22. - 10.3390/app122211516
URI
https://www.doi.org/10.3390/app122211516
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85142840458&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000887043700001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/27620
Коллекции
Публикации