Publication:
Simulation of annealing and the ELDRS in p-MNOS RadFETs

Дата
2019
Авторы
Maslovsky, V. M.
Mrozovskaya, E. V.
Zimin, P. A.
Chubunov, P. A.
Zebrev, G. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 by Begell House, Inc.The manifestation of simultaneous annealing in p-MNOS (metal–nitride–oxide‑semiconductor) samples with thick oxide and a pronounced effect of enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) are investigated. The simulation was based on experimental data.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Simulation of annealing and the ELDRS in p-MNOS RadFETs / Maslovsky, V.M. [et al.] // High Temperature Material Processes. - 2019. - 23. - № 4. - P. 313-318. - 10.1615/HighTempMatProc.2019031964
URI
https://www.doi.org/10.1615/HighTempMatProc.2019031964
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85085615234&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000557723000003
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/19541
Коллекции
Публикации