Publication: Исследование структурных изменений в тонком кристалле GeTe под действием мощного фемтосекундного лазерного излучения методом электронной дифракции
Файлы
Дата
2023
Авторы
Миронов, Б. Н.
Кочиков, И. В.
Асеев, С. А.
Ионин, В. В.
Киселев, А. В.
Лотин, А. А.
Чекалин, С. В.
Ищенко, А. А.
Рябов, Е. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Исследована возможность перехода в аморфную форму тонкого кристалла теллурида германия в результате воздействия мощных фемтосекундных импульсов лазерного излучения на длине волны 800 нм. В качестве образца взята пленка толщиной 20 нм кристаллического полупроводника GeTe. Для анализа структурных изменений использован электронограф с источником коротких фотоэлектронных импульсов. Выполнен анализ дифракционных картин и осуществлена идентификация α- и β-фазы в GeTe. Установлено, что в сильном лазерном поле фемтосекундной длительности происходит процесс абляции образца, который сопровождается уменьшением толщины кристаллической фазы до 5 – 6 нм без существенной аморфизации образца. Отмечена особенность наблюдаемого процесса – отсутствие светоиндуцированного перехода из кристаллического в аморфное состояние при облучении тонкой пленки GeTe фемтосекундными лазерными импульсами. Обсуждаются возможные причины обнаруженного эффекта.
Описание
Ключевые слова
Тонкий кристалл GeTe , Электронная дифракция , Фазоизменяемые материалы , Фемтосекундное лазерное излучение
Цитирование
Миронов Б.Н., Кочиков И.В., Асеев С.А., Ионин В.В., Киселев А.В., Лотин А.А., Чекалин С.В., Ищенко А.А., Рябов Е.А. “ Исследование структурных изменений в тонком кристалле GeTe под действием мощного фемтосекундного лазерного излучения методом электронной дифракции”, Квантовая электроника, 53 (1), 29–33 (2023).