Publication:
Topological transitions in superconductor nanomembranes under a strong transport current

Дата
2020
Авторы
Rezaev, R. O.
Smirnova, E. I.
Schmidt, O. G.
Fomin, V. M.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
2020, The Author(s).The topological defects, vortices in bulk superconductors (SCs) and phase slips in low-dimensional SCs are known to lead to the occurrence of a finite resistance. We report on a topological transition between the both types of topological defects under a strong transport current in an open SC nanotube with a submicron-scale inhomogeneity of the normal-to-the-surface component of the applied magnetic field. When the magnetic field is orthogonal to the axis of the nanotube, which carries the transport current in the azimuthal direction, the phase-slip regime is characterized by the vortex/antivortex lifetime ∼ 10−14 s versus the vortex lifetime ∼ 10−11 s for vortex chains in the half-tubes, and the induced voltage shows a pulse as a function of the magnetic field. The topological transition between the vortex-chain and phase-slip regimes determines the magnetic-field–voltage and current–voltage characteristics of curved SC nanomembranes to pursue high-performance applications in advanced electronics and quantum computing.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Topological transitions in superconductor nanomembranes under a strong transport current / Rezaev, R.O. [et al.] // Communications Physics. - 2020. - 3. - № 1. - 10.1038/s42005-020-00411-4
Коллекции