Publication:
Effect of an Electric Field on a Lithium Ion in a Channel of the Doped Silicene–Graphite System

Дата
2020
Авторы
Galashev, A. E.
Rakhmanova, O. R.
Zaikov, Y. P.
Katin, K. P.
Maslov, M. M.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: Using the method of molecular dynamics, the behavior of a lithium ion under the action of a constant electric field in a channel formed by silicene sheets doped with phosphorus is studied. It is shown that if the intersheet space in doped silicene is 0.6 nm, then a single lithium ion can freely enter a channel located on a graphite substrate (with the layers doped with nitrogen) and move along the channel. It is found that doping element phosphorus has a strengthening effect on silicene. Two-dimensional silicon structures are slightly deformed but not destroyed and remain stable during the entire calculation time (100 ps). It is shown that the roughness of silicene sheets and the volume of the intersheet space in the channel do not increase after the lithium ion passes through it, since the crystalline structure of silicene is preserved.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Effect of an Electric Field on a Lithium Ion in a Channel of the Doped Silicene–Graphite System / Galashev, A.E. [et al.] // Russian Journal of Physical Chemistry B. - 2020. - 14. - № 6. - P. 1055-1062. - 10.1134/S1990793120060044
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1990793120060044
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85099953025&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000610900300027
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/23093
Коллекции
Публикации