Publication:
Simulation of sputtering from an isolated conductor surrounded by a dielectric during plasma etching

Дата
2019
Авторы
Shustin, E. G.
Ronald, K.
Tarakanov, V. P.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 We investigate the action of ion flows from a plasma onto the surface of a flat conductor lying on an insulator, with width less than the plasma Debye length. The model allows study of the processing with a steady state or pulsed potential on the microwire. The shape of pulses has been synthesized to provide the most homogeneous distribution of the etching rate over the microwire surface.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Shustin, E. G. Simulation of sputtering from an isolated conductor surrounded by a dielectric during plasma etching / Shustin, E.G., Ronald, K., Tarakanov, V.P. // Vacuum. - 2019. - 165. - P. 262-265. - 10.1016/j.vacuum.2019.04.021
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.04.021
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85064651135&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000470047600037
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16930
Коллекции
Публикации