Publication:
Energy band gap tuning in Te-doped WS2/WSe2 heterostructures

Дата
2020
Авторы
Krivosheeva, A.
Shaposhnikov, V.
Lazzari, J. -L.
Borisenko, V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020, Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature.Understanding the possibility of band-gap engineering in multilayers composed of two-dimensional materials is extremely important for modeling and creation of novel electronic and photonic devices. Stacking of WS2 and WSe2 monolayers looks particularly attractive for applications due to direct gap of resulting heterostructure, especially taking into account the indirect-gap nature of their bulk-state counterparts. We performed a theoretical investigation of chalcogen atoms replacement in WS2/WSe2 heterostructure by isovalent Te atoms in order to reveal its effects on the band gap, electronic structure and density of states. The doped heterostructures were found to preserve semiconductor properties, whereas the gap changed its nature from direct to indirect in dependence on the position and the distance between substituting Te atoms. Te atoms in the S atom positions led preferably to an indirect gap and increased its value as compared to the pristine material; upon substitution of Se atoms, the direct gap of the heterostructure is preserved but with a small reduction, whereas the substitution of both S and Se atoms changed the gap in a different way depending on Te position. This information makes possible the creation of multilayered structures with tunable gap important for a novel generation of electronic and photonic devices.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Energy band gap tuning in Te-doped WS2/WSe2 heterostructures / Krivosheeva, A. [et al.] // Journal of Materials Science. - 2020. - 10.1007/s10853-020-04485-x
URI
https://www.doi.org/10.1007/s10853-020-04485-x
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85080149119&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000516952000001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/20342
Коллекции
Публикации