Publication: Активная область полупроводниковых модуляторов на основе квантовых ям InGaAs/AlInAs
Дата
2023
Авторы
Вязанкин, В. С.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Использование лазера в современных информационных технологиях позволяет решить ряд специальных задач по обработке, передаче, хранению и кодированию информации. Наиболее востребованным примером применения лазера в информационных технологиях являются волоконно-оптические линии связи. Оптические модуляторы являются ключевыми элементами оптических информационных систем. Среди возможных типов данных изделий, полупроводниковые модуляторы на основе квантово-размерного эффекта Штарка вызывают большой интерес для многих практических приложений. Благодаря своей высокой скорости работы и широкому диапазону частот, полупроводниковые модуляторы на эффекте Штарка позволяют передавать данные на большие расстояния с высокой точностью и скоростью. Основой таких модуляторов является полупроводниковая сверхрешетка, параметры которой необходимо подбирать с учетом требуемых критериев в зависимости от области применений. Такие приборы отличают малые массогабаритные параметры и возможность интеграции с другими оптоэлектронными приборами, такими как лазеры и фотоприемники, изготавливаемыми на основе тех же полупроводниковых материалов. Это открывает перспективы создания монолитно-интегрированных фотонных интегральных схем. Оптические модуляторы характеризуются рядом критериев, значениями которых можно управлять, варьируя геометрию квантовых ям. В данной работе проведена расчетная оценка параметров полупроводниковых гетероструктур GaInAs/AlInAs.
Описание
Уровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 03.04.02; Группа: М21-304
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Вязанкин, В. С. Активная область полупроводниковых модуляторов на основе квантовых ям InGaAs/AlInAs : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 03.04.02 / В. С. Вязанкин ; рук. работы Мармалюк Александр Анатольевич, 2023