Publication: Изолированные (квантовые) излучатели, связанные с дефектами, в полупроводниках группы II-VI и гетероструктурах на их основе.
Дата
2017
Авторы
Ченцов, С. И.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
На основе измерений низкотемпературной (5K) микрофотолюминесценции в в широкозонных полупроводниках группы А2В6 и гетероструктурах на их основе (квантовой яме (КЯ) ZnSe/ZnMgSSe и кристаллах CdZnTe, содержащих микродвойники) продемонстрировано существование изолированных (одиночных) дефектов, линии излучения которых претерпевают скачкообразное изменение спектрального положения на несколько мэВ в течении течение времен порядка 1-10 минут. Для некоторых излучателей такого типа наблюдается поляризация излучения близкая к линейной. Нестандартные свойства обнаруженных излучателей объяснены на основе представлений о изолированных донорно-акцепторных парах (неполяризованные излучатели) и экситонах связанных на ядре дислокаций (поляризованные излучатели).
Описание
Уровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 14.04.02; Группа: М15-409
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Ченцов, С. И. Изолированные (квантовые) излучатели, связанные с дефектами, в полупроводниках группы II-VI и гетероструктурах на их основе. : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 14.04.02 / С. И. Ченцов ; рук. работы Кривобок Владимир Святославович, 2017