Publication:
The influence of waveguide doping on the output characteristics of AlGaAs/GaAs lasers

Дата
2020
Авторы
Telegin, K. Y.
Ladugin, M. A.
Andreev, A. Y.
Yarotskaya, I. V.
Marmalyuk, A. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
The influence of doping of waveguide layers on the output characteristics of lasers based on AlGaAs/GaAs double separate-confinement heterostructures is analysed. The heterostructures with narrow and broadened waveguides are studied. Samples of laser diode bars with undoped and doped waveguide layers are experimentally fabricated and compared. It is shown that the latter type of structures with a broadened waveguide allows one to increase the output power of the laser diode bars by 10 % - 15 %, all other conditions being equal.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
The influence of waveguide doping on the output characteristics of AlGaAs/GaAs lasers / Telegin, KY [et al.] // Quantum Electronics. - 2020. - 50. - № 5. - P. 489-492. - 10.1070/QEL17249
URI
https://www.doi.org/10.1070/QEL17249
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85087277753&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000537860100009
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/21908
Коллекции
Публикации