Publication:
65-nm CMOS element of matching for content-addressable memory resilient to impact of single nuclear particles

Дата
2019
Авторы
Antonyuk, A. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. 65-nm CMOS element of matching for content-addressable memory resilient to impact of single nuclear particles is proposed. Element includes upset-hardened STG DICE memory cell and XOR logical gate based on two tristate inverters. Transistors of the element are separated into two identical joint groups spaced on the chip by distance of more than 4 μm, which practically excludes the possibility of cell upset under impact of single nuclear particles. Designed element of matching is implemented in resilient to single event effects translation lookaside buffer of microprocessor.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Antonyuk, A. V. 65-nm CMOS element of matching for content-addressable memory resilient to impact of single nuclear particles / Antonyuk, A.V. // Journal of Physics: Conference Series. - 2019. - 1189. - № 1. - 10.1088/1742-6596/1189/1/012011
Коллекции