Publication:
The 'Extrinsic' Compact Model of the MOSFET Drain Current Based on a New Interpolation Expression for the Transition between Linear and Saturation Regimes with a Monotonic Decrease of the Differential Conductance to a Nonzero Value

Дата
2020
Авторы
Turin, V. O.
Shkarlat, R. S.
Iniguez, B.
Shur, M. S.
Zebrev, G. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020 IEEE.Previously, we proposed a new interpolation expression to bridge the transition between the linear and the saturation regimes of 'intrinsic' MOSFET. This approach, in contrast to the traditional one, gives a monotonic decrease of the differential conductance from the maximum value in the linear regime to the minimum value in the saturation regime. Later, we proposed a linear approximation for an 'extrinsic' MOSFET drain current dependence on the 'extrinsic' drain bias in the saturation regime for not very high drain bias when nonlinear effects can be neglected. To obtain this approximation, an equation for the output differential resistance of the 'extrinsic' MOSFET in saturation regime was obtained, that is similar to the result known from the theory of the common source MOSFET amplifier with source degeneration. In this paper, we combine these two results and present an 'extrinsic' compact model for a short-channel MOSFET above threshold drain current with proper account of the differential conductance in the saturation regime.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
The 'Extrinsic' Compact Model of the MOSFET Drain Current Based on a New Interpolation Expression for the Transition between Linear and Saturation Regimes with a Monotonic Decrease of the Differential Conductance to a Nonzero Value / Turin, V.O. [et al.] // 4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings. - 2020. - 10.1109/EDTM47692.2020.9117810
URI
https://www.doi.org/10.1109/EDTM47692.2020.9117810
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85091993720&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000610825100008
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/22416
Коллекции
Публикации