Publication:
Применение спектроскопии рассеяния протонов кэВных энергий для анализа осаждения тонких слоёв лития на вольфрам

Дата
2020
Авторы
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Выпуск журнала
Аннотация
Одной из важных задач на пути к управляемому термоядерному синтезу является контроль воздействия потоков частиц и излучений на обращённые к плазме элементы (ОПЭ) термоядерных установок (ТЯУ). Такое воздействие ведёт к эрозии и переосаждению материалов первой стенки и дивертора. Так как процессы взаимодействия плазмы с поверхностью самосогласованны, то эрозия поверхности может повлиять на параметры пристеночного слоя плазмы и на работоспособность установок в целом. Таким образом, возникает задача контроля наличия и толщины осаждённых на ОПЭ слоёв. В современных ТЯУ в качестве материала ОПЭ будет применяться комбинация из лёгких (бериллий, бор, литий) и тяжёлых (вольфрам) элементов. Ранее было показано, что в частном случае слоёв элементов с сильно различающейся атомной массой спектроскопия протонного рассеяния может быть применена для анализа толщины поверхностной плёнки с монослойным разрешением При этом данная методика может быть реализована в виде малогабаритного встраиваемого зонда, что делает её перспективной в применении к in situ анализу процессов эрозии/переосаждения материалов ОПЭ в ТЯУ. Целью данной работы является исследование возможностей анализа осаждения и модификации тонких плёнок лёгких элементов (на примере лития) на тяжёлую подложку (вольфрам) с помощью данной методики. В результате работы проведён литературный обзор по современных кандидатным материалам ТЯУ, а также существующим методам их in situ диагностики. На установке «Большой масс-монохроматор «МИФИ» проведено осаждение тонких слоёв лития на вольфрам за счёт термического испарения при одновременной диагностике толщины по малоугловому рассеянию протонов с начальной энергией 25 кэВ, показана высокая чувствительность методики к наличию и толщине литиевой плёнки на поверхности вольфрама. Также показана чувствительность методики к изменению среднего атомного номера на поверхности за счёт химического взаимодействия лития с остаточными газами в среднем вакууме. Проведена оценка зарядовой фракции водорода, отражённого от лития после длительной выдержки в вакууме. В работе представлены описания, схемы и фотографии спроектированных экспериментальных устройств, результаты пуско-наладочных работ и экспериментов. Результаты являются новыми.
Описание
Уровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 16.04.02; Группа: М18-208
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Ефимов, Н. Е. Применение спектроскопии рассеяния протонов кэВных энергий для анализа осаждения тонких слоёв лития на вольфрам : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 16.04.02 / Н. Е. Ефимов ; рук. работы Синельников Дмитрий Николаевич, 2020