Publication:
Raman spectroscopy of silicon nanowires formed by metal-Assisted chemical etching

Файлы
W2995635308.pdf(1.12 MB)
Дата
2019
Авторы
Yakunin, V. G.
Asilbaeva, R. B.
Rodichkina, S. P.
Turmukhambetov, A. Z.
Alykova, A. F.
Timoshenko, V. Y.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
© Published under licence by IOP Publishing Ltd.Silicon nanowires obtained by metal-Assisted chemical etching of crystalline silicon (Si) wafers are studied by Raman spectroscopy to reveal the effect of the formation time of nanowires and their additional doping with boron and phosphorus. The observed modification of the spectrum shape in the boron-doped samples due to the Fano effect made it possible to estimate the concentration of free holes in Si nanowires, which is of the order of 1019-1020 cm3, depending on the preparation conditions. The obtained results indicate the potential of the Raman spectroscopy for contactless diagnostics of Si nanostructures.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Raman spectroscopy of silicon nanowires formed by metal-Assisted chemical etching / Yakunin, V.G. [et al.] // Journal of Physics: Conference Series. - 2019. - 1348. - № 1. - 10.1088/1742-6596/1348/1/012025
URI
https://www.doi.org/10.1088/1742-6596/1348/1/012025
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85078265166&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/19352
Коллекции
Публикации