Publication:
Extremely Non-Equilibrium Hopping Transport and Photogeneration Efficiency in Organic Semiconductors: An Analytic Approach

Дата
2024
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
An analytical model of highly nonequilibrium hopping transport of charge carriers in disordered organic semiconductors has been developed. In particular, the initial time interval is considered when transport is controlled by hops down in energy. The model is applied to the calculation of the separation probability of geminate pairs in a semiconductor with a Gaussian energy distribution of localized states. This probability determines the photogeneration efficiency. The temperature dependence of the separation probability is obtained and shown to be much weaker than predicted by the classical Onsager model, in agreement with experiment and Monte Carlo simulations. The field dependence is taken into account using a modified effective temperature method.
Описание
Ключевые слова
Organic semiconductor , Charge carrier , Efficiency Roll-Off
Цитирование
Extremely Non-Equilibrium Hopping Transport and Photogeneration Efficiency in Organic Semiconductors: An Analytic Approach / Toropin, A. V. [et al.] // Journal of Physical Chemistry Letters. - 2024. - P. 3884-3892. - 10.1021/acs.jpclett.4c00662
Коллекции