Publication:
Performance Degradations of MISFET-Based Hydrogen Sensors with a Pd-Ta 2 O 5 -SiO 2 -Si Structure During Long-Term Operation

Файлы
W2905148950.pdf(2.05 MB)
Дата
2019
Авторы
Kovalenko, A.
Podlepetsky, B.
Samotaev, N.
Nikiforova, M.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
We present the generalized experimental results of performance degradation of hydrogen sensors based on metal-insulator-semiconductor field effect transistor (MISFET)with the structure Pd-Ta2O5-SiO2-Si. The n-channel MISFET elements were fabricated on silicon single chips together with temperature sensors and heater-resistors by means of conventional -technology. Two hundred cycles of responses to different hydrogen concentrations were measured during eight weeks using special measuring and temperature stabilization circuitries with a feedback loop based on the chip's thermo-sensor and heater. We show how the response parameters change during long-term tests of sensors under repeated hydrogen impacts. There were two stages of time-dependent response instability, the degradation of which depends on operating conditions, hydrogen concentrations, and time. To interpret results, we proposed the models, parameters of which were calculated using experimental data. These models can be used to predict performances of MISFET-based gas analysis devices for long-term operation.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Performance Degradations of MISFET-Based Hydrogen Sensors with a Pd-Ta 2 O 5 -SiO 2 -Si Structure During Long-Term Operation / Kovalenko, A. [et al.] // Sensors (Switzerland). - 2019. - 19. - № 8. - 10.3390/s19081855
URI
https://www.doi.org/10.3390/s19081855
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065079864&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000467644500109
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17898
Коллекции
Публикации