Publication:
Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами

Дата
2023
Авторы
Жукавин, Р. Х.
Цыпленков, В. В.
Шастин, В. Н.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Выпуск журнала
Выпуск журнала
Квантовая электроника
2023 - 53 - 5
Аннотация
Теоретически изучен кремний, легированный нейтральными гелиеподобными донорами магния, в качестве активной среды в терагерцевом диапазоне частот. Инверсионный механизм, реализующийся в Si:Mg, при оптическом возбуждении не обладает необходимой эффективностью ввиду наличия быстрых релаксационных процессов. Напротив, механизм вынужденного комбинационного рассеяния обладает меньшей чувствительностью к временам релаксации и позволяет получать перестройку спектра генерации. Важной особенностью двухзарядных доноров оказывается наличие двух стоксовых сдвигов в системе, что позволяет существенно расширить диапазон излучаемых частот. Расчеты показали, что комбинированное использование одноосной деформации кристалла и перестройки энергии кванта возбуждения в диапазоне 95 – 105 мэВ (23 – 25.5 ТГц) позволит получить ВКР в полосе частот 7 – 33 мэВ (~1.5 – 8 ТГц).
Описание
Ключевые слова
двухзарядные доноры , кремний , сечение усиления , вынужденное комбинационное рассеяние
Цитирование
Жукавин Р.Х.,Цыпленков В.В., Шастин В.Н. “Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами”, Квантовая электроника, 53 (5), 401–405 (2023).
Коллекции