Publication:
Electrical conductivity and magnetoresistance in twisted graphene electrochemically decorated with Co particles

Файлы
W2984597216.pdf(4.11 MB)
Дата
2020
Авторы
Fedotov.
Fedotova, J. A.
Bayev, V. G.
Ronassi, A. A.
Prischepa, S. L.
Komissarov, I. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Elsevier B.V.Application of magnetic metal/graphene hybrid structures in magnetosensorics requires the formation of high-quality low-ohmic (barrier-free) contacts and understanding of mechanisms of electric charge transfer near and through the metal/graphene contact area. In present paper we fabricate samples of twisted graphene electrochemically decorated with Co particles (Co-G/SiO2) which demonstrate perfect ohmic electric contact between Co and graphene sheets. Temperature and magnetic field dependencies of surface resistance for pure twisted graphene (G/SiO2) and Co-G/SiO2 samples are considered within the models of 3D Mott variable range hopping and 2D weak-localization quantum corrections to the Drude conductivity. Phenomenological model is proposed explaining the experimentally observed transition from predominantly negative magnetoresistive effect in weak magnetic fields B (below 1–2 T) to positive magnetoresistance (PMR) at B beyond 5 T assuming the growth of PMR due to the distortion of current-conducting routes under the influence of Lorentz force which originates from the enhancement of large-scale potential relief in Co-G/SiO2 sample. This work considers the new approach to the application of G/SiO2 decoration with Co particles for creation both metallic (distributed, defragmented) shunts and high-quality ohmic electrodes in magnetic sensing.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Electrical conductivity and magnetoresistance in twisted graphene electrochemically decorated with Co particles / Fedotov [et al.] // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. - 2020. - 117. - 10.1016/j.physe.2019.113790
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.physe.2019.113790
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85076031736&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000504664500018
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/20076
Коллекции
Публикации