Publication:
Analysis of the microstructural evolution of silicon nitride irradiated with swift Xe ions

Дата
2020
Авторы
Janse, van, Vuuren, A.
Ibrayeva, A. D.
Zdorovets, M. V.
Skuratov, V. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Elsevier Ltd and Techna Group S.r.l.The evolution of 220 MeV Xe ion induced radiation damage in polycrystalline Si3N4 is studied, within the fluence range 5 × 1011– 2 × 1014 cm−2, using transmission electron microscopy techniques. These irradiation conditions allow for the study of track morphology in both crystalline and in radiation-amorphized Si3N4. The average track size in the polycrystalline samples is 1.9 ± 0.4 nm and 3.1 ± 0.5 nm in the radiation-amorphized samples. The larger track sizes in the radiation-amorphized material is in agreement with predictions of the inelastic thermal spike model and the role of thermal conductivity in latent track formation.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Analysis of the microstructural evolution of silicon nitride irradiated with swift Xe ions / Janse, van, Vuuren, A. [et al.] // Ceramics International. - 2020. - 46. - № 6. - P. 7155-7160. - 10.1016/j.ceramint.2019.11.209
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.11.209
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85079723126&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000519661800020
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/20313
Коллекции
Публикации