Publication:
Hole mobility in thieno[3,2-b]thiophene oligomers

Дата
2019
Авторы
Malov, V. V.
Ghosh, T.
Nair, V. C.
Unni, K. N. N.
Maslov, M. М.
Katin, K. P.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 A study of transient and steady state electrical currents in the solution-processed thin films of thieno[3,2-b]thiophene oligomers has demonstrated charge carrier mobility of about 10 −2 cm 2 V −1 s −1 . Thieno[3,2-b]thiophene moieties serve as reasonable charge transport sites providing the high mobility. Varying end alkyl chains in such oligomers is suggested as a viable tool to tune the mobility.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Hole mobility in thieno[3,2-b]thiophene oligomers / Malov, V.V. [et al.] // Mendeleev Communications. - 2019. - 29. - № 2. - P. 218-219. - 10.1016/j.mencom.2019.03.035
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.mencom.2019.03.035
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85064318197&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000467509600035
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16904
Коллекции
Публикации