Publication:
3.3 THz Quantum Cascade Laser Based on a Three GaAs/AlGaAs Quantum-Well Active Module with an Operating Temperature above 120 K

Дата
2022
Авторы
Khabibullin, R. A.
Maremyanin, K. V.
Ponomarev, D. S.
Galiev, R. R.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Klochkov, A. N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2022, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract—: The design of a terahertz (THz) quantum cascade laser (QCL) with an active module based on three GaAs/Al0.18Ga0.82As quantum wells for high-temperature generation at a frequency of about 3.3 THz is optimized. A heterostructure based on the developed design with an active region thickness of 10 μm is grown by molecular-beam epitaxy with a deviation of the active-module thickness from the nominal of less than 1%. The fabricated THz QCLs with a double metal waveguide demonstrate lasing up to a temperature of 125 K. Investigations of the I–V characteristics, the dependences of the integrated emission on the current, and the lasing spectra show good agreement with the calculated characteristics.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
3.3 THz Quantum Cascade Laser Based on a Three GaAs/AlGaAs Quantum-Well Active Module with an Operating Temperature above 120 K / Khabibullin, R.A. [et al.] // Semiconductors. - 2022. - 10.1134/S1063782622010080
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063782622010080
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85129902212&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000794120800015
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/27899
Коллекции
Публикации