Publication:
Towards B-doped p-BaSi2 films on Si substrates by co-sputtering of BaSi2, Ba, and B-doped Si targets

Файлы
Hasebe_2023_Jpn._J._Appl._Phys._62_SD1010.pdf(1.41 MB)
Дата
2023
Авторы
Hasebe, H.
Kido, K.
Takenaka, H.
Mesuda, M.
Migas, D. B.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Towards B-doped p-BaSi2 films on Si substrates by co-sputtering of BaSi2, Ba, and B-doped Si targets / Hasebe, H. [et al.] // Japanese Journal of Applied Physics. - 2023. - 62. - № SD. - 10.35848/1347-4065/aca4d7
URI
https://www.doi.org/10.35848/1347-4065/aca4d7
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85145255768&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000922723400001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/29885
Коллекции
Публикации