Publication:
Thermal degradation of metamorphic HEMT InAlAs/InGaAs/InAlAs grown on GaAs substrates

Дата
2019
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© Published under licence by IOP Publishing Ltd.termal annealing effect on electron transport properties of MHEMT nanostructures is studied for inhert and atmospheric conditions. Iti is revealed that surface modification is mainly responsible for changes in electron properties rather than dislocation sliding and threading into active layers.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Thermal degradation of metamorphic HEMT InAlAs/InGaAs/InAlAs grown on GaAs substrates / Vinichenko, A.N. [et al.] // Journal of Physics: Conference Series. - 2019. - 1238. - № 1. - 10.1088/1742-6596/1238/1/012022
Коллекции