Publication:
Orbital contributions in the element-resolved valence electronic structure of Bi2Se3

Дата
2021
Авторы
Kuo, C. T.
Lin, S. C.
Rueff, J. P.
Chen, Z.
Vartanyants, I. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 American Physical Society. In this work, we studied the bulk band structure of a topological insulator (TI) Bi2Se3 and determined the contributions of the Bi and Se orbital states to the valence bands using standing-wave excited hard x-ray photoemission spectroscopy (SW-HAXPES). This SW technique can provide the element-resolved information and extract individual Bi and Se contributions to the Bi2Se3 valence band. Comparisons with density-functional theory calculations (local density approximation and GW) reveal that the Bi 6s, Bi 6p, and Se 4p states are dominant in the Bi2Se3 HAXPES valence band. These findings pave a way for studying the element-resolved band structure and orbital contributions of this class of TIs.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Orbital contributions in the element-resolved valence electronic structure of Bi2Se3 / Kuo, C.-T. [et al.] // Physical Review B. - 2021. - 104. - № 24. - 10.1103/PhysRevB.104.245105
URI
https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.104.245105
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85121112952&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000733614100002
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/25106
Коллекции
Публикации