Publication:
Photo-induced cubic-to-hexagonal polytype transition in silicon nanowires

Дата
2019
Авторы
Rodichkina, S. P.
Belarouci, A.
Bezverkhyy, I.
Chassagnon, R.
Lysenko, V.
Timoshenko, V. Y.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 The Royal Society of Chemistry.Transformation of the crystalline lattice in silicon nanowires from cubic diamond (cub-Si) to hexagonal diamond (hex-Si) was observed under laser irradiation at intensities above 10 kW cm-2 (wavelength of 473 nm) by appearance of an additional peak in their Raman spectra in the range from 490 to 505 cm-1. Formation of the hex-Si phase in SiNWs is favoured by strong mechanical stresses caused by inhomogeneous photo-induced heating, which results in a singlet-doublet splitting of the Raman peaks for LO and TO phonons at about 517 and 510 cm-1, respectively. The estimated values of the photo-induced mechanical stresses and temperatures required for the polytype transformation in SiNWs correspond to those for bulk Si. The formation of the hex-Si phase in SiNWs is further illustrated by huge photoluminescence (PL) enhancement at laser intensities above 10 kW cm-2, which correlates with the appearance of the Raman peak at about 500 cm-1. The spectral position of the PL band at about 1.5 eV is close to the direct band gap transition in the stressed hex-Si.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Photo-induced cubic-to-hexagonal polytype transition in silicon nanowires / Rodichkina, S.P. [et al.] // CrystEngComm. - 2019. - 21. - № 32. - P. 4747-4752. - 10.1039/c9ce00562e
URI
https://www.doi.org/10.1039/c9ce00562e
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85070654899&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000480618300008
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18561
Коллекции
Публикации