Publication:
Effect of morphology on the phonon thermal conductivity in Si/Ge superlattice nanowires

Файлы
Khaliava_2023_Jpn._J._Appl._Phys._62_SD1013.pdf(2.02 MB)
Дата
2023
Авторы
Khaliava, I. I.
Khamets, A. L.
Safronov, I. V.
Filonov, A. B.
Migas, D. B.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Effect of morphology on the phonon thermal conductivity in Si/Ge superlattice nanowires / Khaliava, I. I. [et al.] // Japanese Journal of Applied Physics. - 2023. - 62. - 10.35848/1347-4065/aca912
URI
https://www.doi.org/10.35848/1347-4065/aca912
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85145661211&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000919202500001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/29902
Коллекции
Публикации