Publication:
Investigation of an electron-beam pumped VECSEL based on an InGaAs/AlGaAs heterostructure

Дата
2019
Авторы
Andreev, A. Y.
Bagaev, T. A.
Gamov, N. A.
Zhdanova, E. V.
Butaev, M. R.
Kozlovsky, V. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Kvantovaya Elektronika, Turpion Ltd and IOP Publishing Ltd.We report the results of a study of an e-beam pumped vertical-external-cavity surface-emitting laser (VECSEL) based on an InGaAs/AlGaAs heterostructure. Metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) is employed to grow two structures of different design, which contain 10 quantum wells (QWs) and a built-in distributed Bragg reflector (DBR) mirror. Under repetitively pulsed electron-beam excitation (50 Hz, 250 ns), a peak output power of 5.5 W is achieved at a wavelength of 2.5 W and an output power of 2.5 W at 1.013 μm with a total convergence angle no larger than 20 mrad.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Investigation of an electron-beam pumped VECSEL based on an InGaAs/AlGaAs heterostructure / Andreev, A.Y. [et al.] // Quantum Electronics. - 2019. - 49. - № 10. - P. 909-912. - 10.1070/QEL17066
Коллекции