Publication: Компьютерное моделирование статических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN
Дата
2016
Авторы
Родионов, С. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
При помощи компьютерного моделирования была численно решена задача электронного транспорта в резонансно-туннельных гетероструктурах на основе GaN. Решение задачи основано на самосогласованном решении нелинейной системы уравнений Шрёдингера-Пуассона. Было установлено каким образом поляризация и ширина спейсерных слоев влияют на статические характеристики РТД.
Описание
Уровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 14.03.02; Группа: Т08-67А
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Родионов, С. А. Компьютерное моделирование статических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 14.03.02 / С. А. Родионов ; рук. работы Елесин Владимир Федорович, 2016