Publication: СТРУКТУРНЫЕ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА СВЕРХТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ BaTiO3
Дата
2011
Авторы
Миннекаев, М. Н.
Зенкевич, А. В.
Булох, К. В.
Чуприк, А. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
Растущие требования к стоимости и ёмкости устройств энергонезависимой памяти в электронике, бытовой технике, машиностроении, диктуют поиск новых физических механизмов записи и хранения информации. Одним из решений задачи записи и хранения информации является концепция энергонезависимой цифровой памяти, основанной на использовании сверхтонких, туннельно-прозрачных сегнетоэлектрических слоев, помещенных между двумя металлическими слоями. Ранее было теоретически и экспериментально показано, что в гетероструктурах металл/сегнето-электрик/металл величина туннельного тока зависит от направления поляризации сегнетоэлектрического слоя, так как при изменении направления поляризации эффективно меняется величина и форма потенциального барьера, который представляет собой сегнетоэлектрический слой (т.н. сегнетоэлектрический туннельный переход).