Publication:
Conductivity of superlattices GaAs/AlAs with electrical domains

Дата
2019
Авторы
Altukhov, I. V.
Dizhur, S. E.
Kagan, M. S.
Khvalkovskiy, N. A.
Vasil'Evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© Published under licence by IOP Publishing Ltd. The conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices at the electrical domain formation was studied at room and liquid nitrogen temperatures. The evolution of tunneling current at sweep-up and sweep-down of the bias was investigated. The step-like decrease in current at some threshold voltage was referred to moving domain formation. The current hysteresis and periodic maximums was observed in the electric domain regime. The hysteresis was explained by the changes of electrical domain regimes along with boundary conditions. The origin of current maximum is discussed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Conductivity of superlattices GaAs/AlAs with electrical domains / Altukhov, I.V. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 475. - № 1. - 10.1088/1757-899X/475/1/012032
Коллекции