Publication:
Modelling of saturation current of an organic field-effect transistor with accounting for contact resistances

Дата
2019
Авторы
Turin, V. O.
Rakhmatov, B. A.
Kim, C. H.
Iniguez, B.
Zebrev, G. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. The saturation current of an organic field-effect transistor was calculated numerically by bisection method taking into account the source and drain resistances. Dependences of the saturation current as a function of the gate voltage, centred on the threshold voltage, and as a function of the "extrinsic" (taking into account the source and drain resistances) saturation voltage are presented. The calculations were carried out using an iterative scheme assuming the saturation current to be zero for iteration zero and using different numbers of iterations. In addition, we carried out a compact modelling of the saturation current in the framework of the approach we proposed earlier. It is shown that when in the equation for the compact modelling initial value of saturation current of zero value (corresponding to zero iteration) is used, a good agreement with the bisection method of over a wide range of gate voltages is obtained.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Modelling of saturation current of an organic field-effect transistor with accounting for contact resistances / Turin, V.O. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012038
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012038
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065559284&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800038
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18009
Коллекции
Публикации