Publication:
Influence of silicon donor doping on electron transport in quantum wells AlGaAs/InGaAs/GaAs at different temperatures

Дата
2019
Авторы
Safonov, D. A.
Vinichenko, A. N.
Kargin, N. I.
Vasil'Evskii, I. S.
Сафонов, Данил Андреевич
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© Published under licence by IOP Publishing Ltd. Electron transport in single delta-Si doped pseudomorphic quantum wells with increasing donor concentration analyzed in a temperature range 2-300K. Hall effect and Shubnikov-de Haas oscillations studied at low temperatures. Temperature dependences of electron sheet concentration differ: samples with higher doping show significant increase of electron consentration at high temperature, while for the lightly doped it has a minor temperature sensitivity due to the band peculiarities of donor ionization. Electron mobility increases and then decreases at higher electron concentration, although the second quantum well subband remains unpopulated.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Influence of silicon donor doping on electron transport in quantum wells AlGaAs/InGaAs/GaAs at different temperatures / Safonov, D.A. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 475. - № 1. - 10.1088/1757-899X/475/1/012034
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/475/1/012034
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85062694923&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16663
Коллекции
Публикации