Publication:
Low temperature radiation response of SiGe HBTs

Дата
2019
Авторы
Bakerenkov, A. S.
Felitsyn, V. A.
Rodin, A. S.
Bursian, Y. D.
Pershenkov, V. S.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© Published under licence by IOP Publishing Ltd. Radiation degradation rate of base current in SiGe HBTs was experimentally investigated using X-ray irradiation source with Cu anode at room and low temperatures. The dependences of base and collector current on the emitter-base voltage of the transistors were measured during radiation impact and presented for different total dose levels and irradiation conditions.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Low temperature radiation response of SiGe HBTs / Bakerenkov, A.S. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 475. - № 1. - 10.1088/1757-899X/475/1/012001
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/475/1/012001
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85062702473&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16662
Коллекции
Публикации