Publication:
Low temperature synthesis of graphene nanocomposites using surface passivation of porous silicon nanocrystallites with carbon atoms

Дата
2019
Авторы
Tynyshtykbayev, K. B.
Ainabаyev, A.
Kononenko, O.
Chichkov, M.
Insepov, Z.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2018 Elsevier B.V. This work presents the experimental investigation of the synthesis of graphene carbon nanocomposites (CNC-G) by carbonization of porous silicon (PS) using CVD method at low temperature of T = 350–500 °C. The low-temperature synthesis of CNC-G is explained by a low melting temperature of porous silicon nanocrystallites (nc-PS) formed during electrochemical etching.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Low temperature synthesis of graphene nanocomposites using surface passivation of porous silicon nanocrystallites with carbon atoms / Tynyshtykbayev, K.B. [et al.] // Diamond and Related Materials. - 2019. - 92. - P. 53-60. - 10.1016/j.diamond.2018.12.012
Коллекции