Publication:
Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InуGa1-уAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями

Дата
2018
Авторы
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
автореф. дис. ... доктора физ.-мат. наук: 05.27.01
Ключевые слова
Автор МИФИ , Фононный конфайнмент , Молекулярно-лучевая эпитаксия , PHEMT гетероструктур , Эффект Холла , 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Цитирование
Васильевский, И. С. Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InуGa1-уAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями : автореф. дис. ... доктора физ.-мат. наук: 05.27.01 / И. С. Васильевский; науч. конс. М.Н. Стриханов ; [Место защиты: НИЯУ МИФИ]. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2018. - 43 с.