Publication:
Anomalous Photoresponse of Heavily Doped GaAs/AlAs Superlattices with Electric Domains

Дата
2021
Авторы
Altukhov, I. V.
Dizhur, S. E.
Kagan, M. S.
Khvalkovskiy, N. A.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021, Pleiades Publishing, Inc.Abstract—: The strong effect of weak interband illumination on tunneling transport in doped GaAs/AlAs superlattices was found under conditions of electric domain formation. The photoresponse at voltages below the threshold one (before the domain formation) did not observe. The phenomenon is referred to strong carrier depletion inside the triangular high-field domain. The domain modes transformations under the illumination were also found.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Anomalous Photoresponse of Heavily Doped GaAs/AlAs Superlattices with Electric Domains / Altukhov, I.V. [et al.] // Journal of Communications Technology and Electronics. - 2021. - 66. - № 12. - P. 1385-1387. - 10.1134/S1064226921440017
Коллекции