Publication:
Blocking of Impacts of Single Ionizing Particles by CMOS C-Element in Two-Phase Systems

Дата
2019
Авторы
Katunin, Y. V.
Petrov, K. A.
Stenin, V. Y.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.The work presents the TCAD simulation of the 65 nm bulk CMOS C-element as resistant to the single-event transients. The charge collection from a track of a single nuclear particle simulates in impacted on drain regions of the transistors, which leads to the error pulses in the output of 2-phase inverters and C-element. The TCAD simulation used the tracks along the normal to the chip. The linear energy transfer from a particle to the track is 60 MeV.cm2/mg.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Katunin, Y. V. Blocking of Impacts of Single Ionizing Particles by CMOS C-Element in Two-Phase Systems / Katunin, Y.V., Petrov, K.A., Stenin, V.Y. // 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics, MIEL 2019 - Proceedings. - 2019. - P. 189-192. - 10.1109/MIEL.2019.8889609
Коллекции