Publication:
Kinetic Phenomena in a Semiconductor Excited by an Oriented Beam of Fast Particles

Дата
2022
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2022, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: It is shown that the passage of channeled particles through a crystal without a center of symmetry or in a magnetic field leads to the appearance of a current, i.e., quasi-photogalvanic and quasi-photomagnetic effects. The theory of these phenomena is developed. The orientation dependence of the quasi-photomagnetic and quasi-photogalvanic currents on the entry angle of a channeled particle with respect to the crystallographic planes is predicted. The dependence of the effect on the state and quantum transitions of a channeled particle is studied. The contribution of matrix elements of the first and second kinds to the quasi-photogalvanic effect is investigated. The intensity of the quasi-photogalvanic current induced by the nondipole radiation of hard photons generated by a high-energy channeled particle is estimated.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Mazur, E. A. Kinetic Phenomena in a Semiconductor Excited by an Oriented Beam of Fast Particles / Mazur, E.A. // Journal of Surface Investigation. - 2022. - 16. - № 3. - P. 347-358. - 10.1134/S1027451022020136
Коллекции