Publication:
Simulation of errors impulses from single ionizing particles in CMOS triple majority gates

Дата
2019
Авторы
Katunin, Y. V.
Prozorova, A. G.
Stenin, V. Y.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.This work presents the TCAD simulation of the 65-nm bulk CMOS Triple Majority Gate as resistant to the single-event transients. The charge collection from the track of a single nuclear particle simulates as impacted at the every transistors of the gate which leads to the noise pulse of the output of this gate. The TCAD simulation used the tracks along the normal to the chip surface with input track points at the each transistor. The linear energy transfer to the track is 60 MeV ·cm2/mg.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Katunin, Y. V. Simulation of errors impulses from single ionizing particles in CMOS triple majority gates / Katunin, Y.V., Prozorova, A.G., Stenin, V.Y. // 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics, MIEL 2019 - Proceedings. - 2019. - P. 201-204. - 10.1109/MIEL.2019.8889596
Коллекции