Персона: Сафаралиев, Гаджимет Керимович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Сафаралиев
Имя
Гаджимет Керимович
Имя
3 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 3 из 3
- ПубликацияТолько метаданныеStudy of the Processes of Mesoporous-Silicon Carbonization(2019) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: Experimental and theoretical studies of the processes of mesoporous-silicon carbonization during the formation of buffer layers for the subsequent epitaxy of 3C-SiC films and related wide-gap semiconductors are performed. Analytical expressions for the effective diffusion factor and diffusion length of carbon atoms in a porous system are obtained. The proposed model takes into account the processes of Knudsen diffusion, coagulation and the overgrowth of pores during the formation of a silicon-carbide layer.
- ПубликацияТолько метаданныеRelaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer(2021) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Smirnova, M. O.; Solomatin, I. O.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Смирнова, Марина Олеговна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of this study quantitatively and qualitatively illustrate the processes of mismatch stress relaxation upon epitaxy of cubic silicon carbide on silicon. The mechanical stress distribution in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si heterostructures is analyzed. It is shown that a porous buffer layer plays a role in the reduction of mismatch stress. The data of the theoretical study are verified by experimental residual stress in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si samples.
- ПубликацияТолько метаданныеIII-nitride HEMT Heterostructures with Ultrathin AlN Barrier: Obtaining and Experimental Application(2024) Gusev, A. S.; Sultanov, A. O.; Ryzhuk, R. V.; Nevolina, T. N.; Tsunvaza, D.; Safaraliev, G. K.; Kargin, N. I.; Гусев, Александр Сергеевич; Султанов, Азрет Оюсович; Рыжук, Роман Валериевич; Неволина, Татьяна Николаевна; Цунваза, Дамир; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Каргин, Николай Иванович