Персона: Яненко, Андрей Викторович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Яненко
Имя
Андрей Викторович
Имя
9 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 9 из 9
- ПубликацияТолько метаданныеLeakage Currents Automated Monitoring System for Memory ICs under Dose Exposure(2021) Gracheva, A. A.; Shvetsov-Shiovsky, I. I.; Shmakov, S. B.; Petrov, A. G.; Yanenko, A. V.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Шмаков, Сергей Борисович; Петров, Андрей Григорьевич; Яненко, Андрей Викторович© 2021 IEEE.The paper presents an automated control system for leakage currents monitoring in memory ICs based on National Instruments PXI platform. One of the two standard low-level boards used in our laboratory has been modified with an intermediate board to measure the leakage currents. The ability to break the monitored lines was implemented using relays on the intermediate board. Also, lines were added for relay control, and connectors were added for measuring leakage currents and memory access time. After successful testing, a replacement for the second lower-level board was developed and manufactured. A complete list of used equipment is presented, the advantages of using the NI PXI-4141 source measurement unit and possible variants for its replacement were described. The software and front control panel of the automated system were presented. The process of monitoring the leakage current and the specifics of its measurement were described. The features of control and data lines commutation were described. After testing the automated system for the correct commutation, it was used to monitor leakage currents during TID tests. The experimental results of monitoring the leakage current along 7 lines are presented (CE, WE, OE, DQ0, DQ7, A0, A7). The test results, possible options for equipment and a block diagram of the automated system are presented.
- ПубликацияТолько метаданныеSearching The Damaged Area on IC Chip Using Ionization Response Mapping(2021) Savchenkov, D. V.; Davydov, G. G.; Yanenko, A. V.; Давыдов, Георгий Георгиевич; Яненко, Андрей ВикторовичA method is described for localizing damaged areas on IC chip using ionization response maps. The method can provide some essential information to IC designers to help them improve its resistance to failures. © 2021 IEEE.
- ПубликацияТолько метаданныеInvestigation of Operating System Influence on Single Event Functional Interrupts Using Fault Injection and Hardware Error Detection in ARM Microcontroller(2021) Loskutov, I. O.; Kravchenko, N. D.; Marfin, V. A.; Nekrasov, P. V.; Bobrovsky, D. V.; Smolin, A. A.; Yanenko, A. V.; Лоскутов, Илья Олегович; Кравченко, Николай Дмитриевич; Некрасов, Павел Владимирович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Яненко, Андрей Викторович© 2021 IEEE.the paper presents a broad investigation of single event effects in ARM microcontroller (MCU) under heavy ion irradiation. Experimental details are presented: device under the test and test setup. The stages of experiments are described: radiation testing using heavy ion accelerator, laser source irradiation and single event functional interrupts simulation campaign. The algorithm of operation of the program injector for conducting campaigns on simulating SEFI is presented. The influence of a real-time operating system on cross-section of SEFI was evaluated. SEFI cross-sections obtained with and without the operating system were compared. A method using fault injection in program and data memory and hardware detection of functional interrupts was tested. The results of SEFI simulation and calculation by engineering model were compared with experimental results. The results obtained differ from each other. Possible explanations of the proposed differences and the correction of the model are proposed. Directions for further research are outlined.
- ПубликацияОткрытый доступНОРМЫ ИСПЫТАНИЙ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ОТДЕЛЬНЫХ ЧАСТИЦ: МИНИМАКСНЫЙ ПОДХОД(НИЯУ МИФИ, 2024) Согоян, А. В.; Чумаков, А. И.; Уланова, А. В.; Смолин, А. А.; Яненко, А. В.; Бойченко, Д. В.; Яненко, Андрей Викторович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич; Уланова, Анастасия ВладиславовнаПри проведении испытаний интегральных схем (ИС) и полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию протонов, нейтронов и ионов одним из ключевых является вопрос определения «нормы испытаний» – уровня воздействия испытательной установки (ИУ), позволяющего по результатам эксперимента сделать заключение о соответствии изделия заданным требованиям с определённой доверительной вероятностью. Статистически достоверное определение вероятности безотказной работы (ВБР) изделий по результатам испытаний малых выборок является трудноразрешимой задачей, в особенности – для вновь разрабатываемых ИС. Ещё более сложной задача оказывается при отсутствии отказов в ходе эксперимента. Применительно к возникновению одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в ИС при воздействии частиц космического пространства (КП) проблема заключается в сочетании высоких уровней заданных флюенсов и требуемых ВБР. Анализ показывает, что даже (гипотетически) детальное воспроизведение характеристик специальных факторов (СФ) в ходе испытаний в общем случае не способно само по себе («автоматически») обеспечить заданную достоверность результата. Обоснованное уменьшение норм испытаний может быть достигнуто за счет использования априорной количественной информации о проявлении ОРЭ в рассматриваемых изделиях в сочетании с модельными представлениями о механизмах ОРЭ. В работе рассмотрен минимаксный подход к определению норм испытаний, в рамках которого априорная информация вводится в форме «жестких» ограничений на значения параметров задачи.
- ПубликацияТолько метаданныеQualitative Risk Assessment in the Application of Circuit-based Protection Against SEL in Space Electronics(2022) Yanenko, A.; Яненко, Андрей Викторович© 2022 IEEE.The article considers the peculiarities of single event latch-up (SEL) in microelectronic devices under space high-energy particles irradiation and shows the limitations and risks of the usage of circuit-based SEL protection in space electronics. Different parameters of multiple thyristor structures in common IC chip and fixed threshold current of SEL suppressor circuit lead to a possibility not to detect some of many SEL events under ion irradiation and increase the risk of hard error due to SEL. Several salvations of this problem are discussed in the paper.
- ПубликацияТолько метаданныеThe Problems of Microassemblies Constructional Adaptation for SEE Heavy Ion Testing(2022) Gritsaenko, D.; Tararaksin, A.; Glazunova, E.; Murygin, A.; Yanenko, A.; Chukov, G.; Яненко, Андрей Викторович; Чуков, Георгий Викторович© 2022 IEEE.In this work we consider possible approaches to microassemblies constructional adaptation of various functional groups and various designs for heavy ion testing. Using power supplies as an example, we present an algorithm that minimizes the loss of samples during test preparation without losing test informativity. In many cases it is preferable to carry out the preparation in collaboration with the device developer.
- ПубликацияОткрытый доступМетоды и средства исследования радиационных эффектов в интегральных оперативных запоминающих устройствах с использованием локального воздействия(МИФИ, 2009) Яненко, А. В.; Яненко, Андрей Викторович; Чумаков, А. И.
- ПубликацияТолько метаданныеLimitations of Methods for Evaluating the Hardness of Microelectronic Devices to Single Event Effects on Ion Accelerators(2022) Chumakov, A. I.; Sogoyan, A. V.; Yanenko, A. V.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич; Яненко, Андрей Викторович© 2022, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of the analysis of limitations on the parameters of ion beams during experimental studies to estimate the sensitivity of a VLSI to the influence of heavy charged particles by single event effects (SEEs) are presented. The restrictions on the ion ranges, the bunch structure of the ion beam, the possibilities of changing the linear energy transfer (LET) by changing the angle of incidence of ions, the type of ions, and the use of energy degraders are substantiated.
- ПубликацияОткрытый доступНОРМЫ ИСПЫТАНИЙ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ОТДЕЛЬНЫХ ЧАСТИЦ: БАЙЕСОВСКИЙ ПОДХОД(НИЯУ МИФИ, 2025) Согоян, А. В.; Смолин, А. А.; Уланова, А. В.; Чумаков, А. И.; Яненко, А. В.; Бойченко, Д. В.; Яненко, Андрей Викторович; Согоян, Армен Вагоевич; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Уланова, Анастасия ВладиславовнаКлючевым аспектом безопасного функционирования вычислительных систем в условиях воздействия отдельных частиц (ионов, протонов и нейтронов) является обеспечение сбое- и отказоустойчивости их электронных компонентов. Статистически достоверное определение вероятности безотказной работы (ВБР) интегральных схем (ИС) по результатам испытаний на практике сталкивается с рядом принципиальных трудностей. В случае отсутствия наблюдаемых отказов в ходе эксперимента однозначная интерпретация результатов испытаний оказывается невозможна без использования априорной информации об изделии и характере проявления одиночных радиационных эффектов (ОРЭ). Обоснованное уменьшение норм испытаний при сохранении заданной достоверности оценки соответствия может быть достигнуто за счет использования априорной количественной информации о проявлении ОРЭ в изделиях рассматриваемого класса. В работе предложен метод определения норм испытаний, основанный на байесовской методологии. В рамках данного подхода параметры радиационной чувствительности изделий (по ОРЭ) рассматриваются как векторная случайная величина, а априорная плотность распределения этой величины строится на основании имеющихся эмпирических данных. Рассмотрены параметрические и непараметрические способы построения априорного распределения по эмпирической информации. Анализ показывает, что неопределенность расчета нормы практически полностью определяется априорной информацией и способом ее представления, а учет разброса характеристик образцов и погрешностиопределения флюенса частиц приводит к незначительному увеличению нормы испытаний. В рамках предложенного подхода проанализирована достоверность оценки соответствия изделия требованиям на основании априорной информации без проведения испытаний.