Персона: Тимофеев, Алексей Афанасьевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Тимофеев
Имя
Алексей Афанасьевич
Имя
15 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 15
- ПубликацияТолько метаданныеNew synthesis pathway and stability study of Sr-BDC metal–organic framework in different systems(2023) Vodyashkin, A. A.; Timofeev, A. A.; Kezimana, P.; Тимофеев, Алексей Афанасьевич
- ПубликацияТолько метаданныеStudy of the Processes of Mesoporous-Silicon Carbonization(2019) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: Experimental and theoretical studies of the processes of mesoporous-silicon carbonization during the formation of buffer layers for the subsequent epitaxy of 3C-SiC films and related wide-gap semiconductors are performed. Analytical expressions for the effective diffusion factor and diffusion length of carbon atoms in a porous system are obtained. The proposed model takes into account the processes of Knudsen diffusion, coagulation and the overgrowth of pores during the formation of a silicon-carbide layer.
- ПубликацияТолько метаданныеPLD Grown SiC Thin Films on Al2O3: Morphology and Structure(2019) Kargin, N. I.; Gusev, A. S.; Ryndya, S. M.; Timofeev, A. A.; Grekhov, M. M.; Siglovaya, N. V.; Antonenko, S. V.; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Антоненко, Сергей Васильевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: In this paper, submicron SiC thin films are obtained on α-Al2O3 (0001) substrates from a ceramic target in vacuum by means of pulsed laser deposition. The influence of the substrate temperature on the composition, structure and surface morphology of the experimental samples is studied using scanning and transmission electron microscopy, scanning probe microscopy, X-ray diffractometry, Fourier transform infrared spectroscopy and Raman spectrometry. It is shown that at Tsub = 1000°C the heteroepitaxial growth of 3C-SiC is observed with the following preferential orientation with respect to the substrate: [0001]Al2O3||[111]SiС and [211A]Al2O3||[211]SiС, [100]Al2O3||[(Formula presented.)]SiС. The shape of the reflections from the {011} and {131} 3C–SiC planes on the electron diffraction pattern indicates the presence of local regions in the film that are rotated at angles of up to 7.5° around the growth axis. Thus, it is found that the 3C–SiC film obtained on α‑Al2O3 at a substrate temperature of 1000°C has a mosaic structure partially compensating for the mechanical stresses arising from a mismatch between the lattice parameters and thermal-expansion coefficients along the basal plane.
- ПубликацияТолько метаданныеThe Chemical and Mineral Composition of Particles Precipitated from a Plasma–Dust Layer on the Porthole of the Descend Space Vehicles during The Passage of the Earth’s Atmosphere(2021) Tugaenko, V. Y.; Ovchinnikov, D. S.; Isaenkova, M. G.; Kargin, N. I.; Krymskaya, O. A.; Timofeev, A. A.; Babich, Y. A.; Исаенкова, Маргарита Геннадьевна; Каргин, Николай Иванович; Крымская, Ольга Александровна; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Electron microscopic studies of the surface of the spacecraft descent vehicle (DV) have revealed faceted particles of various shape and size, which are formed when the DV travels through the Earth’s atmosphere at an ultrasonic velocity. The particles are no more than 5 µm in size. An X-ray diffraction analysis of the phase composition of the precipitate on the DVs porthole after their landing showed that the test samples contain the following minerals: сryptohalite—(NH4)2[SiF6]), sal ammoniac—NH4Cl, mullite—Al2SiO5, and other minerals that rarely occur in nature. The paper presents results of electron microscopic and X-ray studies of samples taken from 4 descent vehicles.
- ПубликацияОткрытый доступЛабораторный практикум по физике и технологии наноструктурной электроники(НИЯУ МИФИ, 2018) Васильевский, И. С.; Грехов, М. М.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Сигловая, Н. В.; Стриханов, М. Н.; Тимофеев, А. А.; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Грехов, Алексей Михайлович; Гусев, Александр Сергеевич; Стриханов, Михаил НиколаевичЛабораторный практикум состоит из базовых лабораторных работ в следующих областях физики и технологии наноструктурной электроники: методы исследования материалов и структур микро- и наноэлектроники, современные методы наноструктурирования поверхности материалов в технологии микро- и наноэлектроники, а также технологические процессы при изготовлении электронных компонентов на основе нитридов III группы. Каждое описание лабораторной работы содержит теоретическое введение, которое может использоваться в качестве краткого конспекта лекций, описание лабораторного оборудования, порядок выполнения работы, лабораторное задание, перечень вопросов для самоподготовки и указания по технике безопасности. При выполнении лабораторного практикума используется оборудование НОЦ «Нанотехнологии» НИЯУ МИФИ. Лабораторный практикум создан в рамках выполнения работ по договору № 0000000007415Q050002/01 от 26 сентября 2016 г. c Фондом инфраструктурных и образовательных программ и может служить учебным пособием для различных групп слушателей: студентов, магистров, аспирантов направлений, связанных с физикой и технологией наноструктурной электроники, а также для слушателей по программам повышения квалификации названных направлений. Подготовлено в рамках Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ.
- ПубликацияТолько метаданныеSynthesis and activation of pH-sensitive metal-organic framework Sr(BDC)∞ for oral drug delivery(2023) Vodyashkin, A.; Sergorodceva, A.; Kezimana, P.; Morozova, M.; Timofeev, A. A.; Тимофеев, Алексей Афанасьевич
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОКРЫТИЯ NiZnAl2O3, СОЗДАННОГО С ПОМОЩЬЮ ХОЛОДНОГО ГАЗОДИНАМИЧЕСКОГО НАПЫЛЕНИЯ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ(НИЯУ МИФИ, 2025) Овсянкин, И. Р.; Фунтов, Ф. В.; Петровский, В. Н.; Платонов, А. В.; Тимофеев, А. А.; Ермилова, Е. С.; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Ермилова, Елена Станиславовна; Овсянкин, Иван Романович; Платонов, Александр Валерьевич; Петровский, Виктор НиколаевичРассмотрено влияние лазерной постобработки на характеристики поверхностного слоя покрытия NiZnAl2O3, сформированного методом холодного газодинамического напыления (ХГНД) на подложках низкоуглеродистой стали Ст3 с использованием установки "ДИМЕТ - 404". Перед нанесением покрытий поверхности подложек подвергали очистке с использованием системы лазерной очистки "LightCLEAN" производства НТО "ИРЭ-Полюс". Последующую обработку покрытий проводили с использованием импульсного волоконного лазера. Оценено изменение шероховатости поверхности и внутренней структуры поверхностного слоя при различных режимах лазерной обработки.
- ПубликацияТолько метаданныеRelaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer(2021) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Smirnova, M. O.; Solomatin, I. O.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Смирнова, Марина Олеговна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of this study quantitatively and qualitatively illustrate the processes of mismatch stress relaxation upon epitaxy of cubic silicon carbide on silicon. The mechanical stress distribution in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si heterostructures is analyzed. It is shown that a porous buffer layer plays a role in the reduction of mismatch stress. The data of the theoretical study are verified by experimental residual stress in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si samples.
- ПубликацияТолько метаданныеInfluence of ultrashort laser drilling on magnetic and transport characteristics of HTS tapes(2019) Pokrovskii, S, V.; Mavritskii, O. B.; Egorov, A. N.; Mineev, N. A.; Timofeev, A. A.; Rudnev, I. A.; Покровский, Сергей Владимирович; Маврицкий, Олег Борисович; Егоров, Андрей Николаевич; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Руднев, Игорь АнатольевичWe investigated the magnetic and transport characteristics of second generation high-temperature superconducting (HTS) tapes with an ordered array of antidots. We have performed modification of HTS GdBa2Cu3O7-delta industrial tape produced by SuperOx (Russia) using femtosecond laser exposure. We have created a local lattice of defects with the period 50 mu m and the size of every hole up to 1 mu m. We studied the dependence of the critical current on magnetic field and the angular dependence of the critical current. The influence of the array of artificial defects on the pinning force was shown in a wide range of magnetic fields. Transport and magnetization measurements reveal that these modifications of HTS tapes increases the trapped magnetic field and the critical current. The local increase in the critical current reaches 49%. These enhancements of the critical current have been observed in the intermediate angles. The proposed method of antidot arrays by laser drilling can be used for local modification of HTS tapes, and can improve the current-carrying characteristics of industrial tapes.
- ПубликацияТолько метаданныеInternal structure and conductivity of laser-induced graphitized wires inside diamond(2022) Ashikkalieva, K. K.; Kononenko, T. V.; Ashkinazi, E. E.; Obraztsova, E. A.; Mikhutkin, A. A.; Timofeev, A. A.; Konov, V. I.; Тимофеев, Алексей АфанасьевичThe paper considers nanostructured interior and conductive characteristics of graphitized wires formed inside single-crystal diamond by laser microstructuring. A series of wires was formed by using different laser pulsewidths (from 150 fs to 10 ns) and varying spatial orientation of the laser beam in the crystal. Electrical resistance of the wires was measured and quasi-longitudinal sections of the wires were studied with scanning electron microscopy. Turning the laser beam inside the diamond crystal results in considerable modification of the mutual arrangement of the laser-induced sp2 nanoplates oriented along the {111} crystallographic diamond planes, however, this has a weak influence on the macroscopic conductivity of the wires. In contrast, increase in the laser pulsewidth in the range studied increases both the wire conductivity and the thickness of the sp2 inclusions. The wires formed by ultrashort (150 fs–5 ps) laser pulses contain numerous quasi-parallel sp2 nanoplates with rare intersections, the actual path of the charge transport along the wires remaining unknown. With increasing pulse width to 10 ns the number of the sp2 nanoplates becomes much smaller, but they form an uninterrupted conductive chain. © 2022 Elsevier B.V.