Персона:
Курельчук, Ульяна Николаевна

Загружается...
Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Курельчук
Имя
Ульяна Николаевна
Имя

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 3 из 3
  • Публикация
    Открытый доступ
    Электронные и термоэлектрические свойства структур пониженной мерности на основе D- и F- металлов.
    (НИЯУ МИФИ, 2019) Курельчук, У. Н.; Курельчук, Ульяна Николаевна; Борисюк, П. В.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Электронные и зарядовые свойства нанокластеров титана размерами 2 и 4 нм
    (2024) Курельчук, У. Н.; Васильев, О. С.; Борисюк, П. В.; Борисюк, Петр Викторович; Васильев, Олег Станиславович; Курельчук, Ульяна Николаевна
    В настоящей работе полуэмпирическими расчетными методами исследованы нанокластеры титана Ti115 и Ti935 размерами 2 и 4 нм, как отдельные, так и контактирующие – получена оптимальная геометрия, энергии и орбитали, изучены структурные, электронные, зарядовые свойства. Показано, что наибольшая электронная плотность как всех валентных, так и d-состояний локализована у поверхностей нанокластеров с наибольшей кривизной. Минимумы полной и d- электронной плотности локализованы преимущественно на атомах приповерхностного слоя поверхностей с наименьшей кривизной. Энергия связи, приходящаяся на атом, растет с ростом размеров НК, для отдельных НК она чуть выше, чем для системы из двух контактирующих НК. Плотность же электронных состояний системы контактирующих НК 2 нм не зависит от типа их контакта.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Спектроскопическое исследование кристаллических пленок неона, выращенных на золотой подложке
    (2023) Курельчук, У. Н.; Борисюк, П. В.; Чубунова, Е. В.; Домашенко, М. С.; Каражанов, С. Ж.; Колачевский, Н. Н.; Лебединский, Ю. Ю.; Мызин, Д. А.; Николаев, А. В.; Ткаля, Е. В.; Ткаля, Евгений Викторович; Мызин, Дмитрий Анатольевич; Чубунова, Елена Витальевна; Борисюк, Петр Викторович; Лебединский, Юрий Юрьевич; Николаев, Александр Васильевич; Курельчук, Ульяна Николаевна
    Пленка кристаллического неона была конденсирована на подложке из золота и измерен спектр характеристических потерь энергии обратно рассеянных электронов (СХПЭ) при температуре 5К. Также были теоретически исследовано конденсированное ГЦК-состояние неона методами теории функционала плотности и многочастичной теории возмущений, приближения случайных фаз и уравнения Бете−Салпетера. Теоретический спектр СХПЭ был рассчитан как в приближении независимых электронов, так и с учетом многочастичных эффектов – экранирования локального поля, появления электронно-дырочных пар и связанных состояний (экситонов). Получена ширина запрещенной зоны – 21.5 эВ. Показано, что в СХПЭ неона пики потерь энергии от 17.8 до 21.5 эВ являются чисто экситонными. Кристаллическая пленка неона, являясь широкозонным диэлектриком, рассматривается как перспективный материал для имплантации Th и изучения уникального ядерного перехода в 229Th с энергией 8.2 эВ.