Персона: Гусев, Александр Сергеевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Гусев
Имя
Александр Сергеевич
Имя
8 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 8 из 8
- ПубликацияОткрытый доступЧИСЛЕННАЯ МОДЕЛЬ ВРЕМЯПРОЛЕТНОГО АНАЛИЗАТОРА ДЛЯ ПУЧКА КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ Ar(НИЯУ МИФИ, 2019) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Колодко, Д. В.; Рындя, С. М.; Сигловая, Н. В.; Агейченков, Д. Г.; Гусев, Александр Сергеевич; Колодко, Добрыня Вячеславич; Рындя, Сергей Михайлович; Каргин, Николай Иванович; Бакун, Алексей Дмитриевич; Сигловая, Наталия ВладимировнаPolishing with cluster ions makes it possible to obtain nanorelief on various materials. Often in such installations, the ion mass distribution is not known reliably. This paper presents the results of a time-of-flight mass analyzer simulation. The time-of-flight analyzer will be used for separation of cluster ions on the Exogenesis nAccel 100 unit.
- ПубликацияОткрытый доступМЕТОДИКА ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХГЛАДКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ СИТАЛЛА ИОННО-КЛАСТЕРНЫМИ И АТОМАРНЫМИ ПУЧКАМИ АРГОНА(НИЯУ МИФИ, 2019) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Сигловая, Н. В.; Бакун, Алексей Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Сигловая, Наталия ВладимировнаOptical glass ceramics (ex. sitall) is a promising material for the elements of devices operating in a wide temperature range. However, typical methods do not allow to form a substrate with a mean-square surface roughness of less than 0.2 nm in the spatial frequency range corresponding to the scattering of incident optical radiation. To obtain super-smooth substrates of optical glass ceramics it is proposed to use the method of gas cluster ion beam (GCIB) and accelerated neutral atom beam (ANAB) processing.
- ПубликацияОткрытый доступАНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ИОННО-КЛАСТЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА СОСТОЯНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ МЕТОДОМ ФЛИККЕР- ШУМОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ(НИЯУ МИФИ, 2017) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Матющенко, И. А.; Тимашев, С. Ф.; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Тимашев, Сергей Федорович; Бакун, Алексей ДмитриевичA method of parameterization of supersmooth surfaces used in micro- and nanoelectronics as substrates and light-reflecting elements is proposed. The method is based on the flicker-noise spectroscopy (FNS) as the general phenomenological approach to extracting information from the chaotic temporal or spatial signals. The glass-ceramic samples were processed by cluster-ion beams and their topology was investigated by atomic force microscopy before and after treatment. It is established that gas cluster ion beams processing of glass ceramics leads to angstrom-level surface roughness.
- ПубликацияТолько метаданныеStudy of the Processes of Mesoporous-Silicon Carbonization(2019) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: Experimental and theoretical studies of the processes of mesoporous-silicon carbonization during the formation of buffer layers for the subsequent epitaxy of 3C-SiC films and related wide-gap semiconductors are performed. Analytical expressions for the effective diffusion factor and diffusion length of carbon atoms in a porous system are obtained. The proposed model takes into account the processes of Knudsen diffusion, coagulation and the overgrowth of pores during the formation of a silicon-carbide layer.
- ПубликацияТолько метаданныеPLD Grown SiC Thin Films on Al2O3: Morphology and Structure(2019) Kargin, N. I.; Gusev, A. S.; Ryndya, S. M.; Timofeev, A. A.; Grekhov, M. M.; Siglovaya, N. V.; Antonenko, S. V.; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Антоненко, Сергей Васильевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: In this paper, submicron SiC thin films are obtained on α-Al2O3 (0001) substrates from a ceramic target in vacuum by means of pulsed laser deposition. The influence of the substrate temperature on the composition, structure and surface morphology of the experimental samples is studied using scanning and transmission electron microscopy, scanning probe microscopy, X-ray diffractometry, Fourier transform infrared spectroscopy and Raman spectrometry. It is shown that at Tsub = 1000°C the heteroepitaxial growth of 3C-SiC is observed with the following preferential orientation with respect to the substrate: [0001]Al2O3||[111]SiС and [211A]Al2O3||[211]SiС, [100]Al2O3||[(Formula presented.)]SiС. The shape of the reflections from the {011} and {131} 3C–SiC planes on the electron diffraction pattern indicates the presence of local regions in the film that are rotated at angles of up to 7.5° around the growth axis. Thus, it is found that the 3C–SiC film obtained on α‑Al2O3 at a substrate temperature of 1000°C has a mosaic structure partially compensating for the mechanical stresses arising from a mismatch between the lattice parameters and thermal-expansion coefficients along the basal plane.
- ПубликацияТолько метаданныеLocal laser annealing of 3C-SiC film deposited on the silicon substrate by CVD(2019) Mikhalik, M. M.; Avramchuk, A. V.; Komissarov, I. V.; Yu, Fominski, V.; Romanov, R. I.; Sultanov, A. O.; Siglovaya, N. V.; Ryndya, S. M.; Gusev, A. S.; Labunov, V. A.; Kargin, N. I.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Султанов, Азрет Оюсович; Сигловая, Наталия Владимировна; Рындя, Сергей Михайлович; Гусев, Александр Сергеевич; Лабунов, Владимир; Каргин, Николай Иванович© Published under licence by IOP Publishing Ltd. In this work, we try to suite an approach, which concerns of epitaxial graphene growth by laser irradiation of 3C-SiC (111) film deposited on silicon substrate (111) by chemical vapor deposition method. Laser treatment was performed by pulsed 1064 nm laser with 20 Hz repetition rate and 15 ns pulse duration, the fluency was varied 0-1.5 J/cm 2 . Raman spectroscopy studies show that for fluence above 0.8 J/cm 2 2D band is noticeable revealing formation of high crystallographic quality graphitic (graphene) film.
- ПубликацияОграниченоЛабораторный практикум по физике и технологии наноструктурной электроники(НИЯУ МИФИ, 2018) Васильевский, И. С.; Грехов, М. М.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Сигловая, Н. В.; Стриханов, М. Н.; Тимофеев, А. А.; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Грехов, Алексей Михайлович; Гусев, Александр Сергеевич; Стриханов, Михаил НиколаевичЛабораторный практикум состоит из базовых лабораторных работ в следующих областях физики и технологии наноструктурной электроники: методы исследования материалов и структур микро- и наноэлектроники, современные методы наноструктурирования поверхности материалов в технологии микро- и наноэлектроники, а также технологические процессы при изготовлении электронных компонентов на основе нитридов III группы. Каждое описание лабораторной работы содержит теоретическое введение, которое может использоваться в качестве краткого конспекта лекций, описание лабораторного оборудования, порядок выполнения работы, лабораторное задание, перечень вопросов для самоподготовки и указания по технике безопасности. При выполнении лабораторного практикума используется оборудование НОЦ «Нанотехнологии» НИЯУ МИФИ. Лабораторный практикум создан в рамках выполнения работ по договору № 0000000007415Q050002/01 от 26 сентября 2016 г. c Фондом инфраструктурных и образовательных программ и может служить учебным пособием для различных групп слушателей: студентов, магистров, аспирантов направлений, связанных с физикой и технологией наноструктурной электроники, а также для слушателей по программам повышения квалификации названных направлений. Подготовлено в рамках Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ.
- ПубликацияОткрытый доступPlasma assisted-MBE of GaN and AlN on graphene buffer layers(2019) Kovalchuk, N. G.; Borisenko, D. P.; Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Komissarov, I. V.; Labunov, V. A.; Борисенко, Денис Петрович; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Лабунов, ВладимирThe possibility of using chemical vapor deposition (CVD) graphene as a 2D buffer layer for epitaxial growth of III-nitrides by plasma assisted-MBE on amorphous substrates (SiO2 prepared by thermal oxidation of Si wafer) was investigated. The comparative study of graphene-coated parts of the wafers and the parts without graphene was carried out by scanning electron microscopy and X-ray diffractometry. It was shown that epitaxial GaN and AlN films with close to 2D surface morphology can be obtained by plasma assisted-MBE on amorphous SiO2 substrates with a multilayer graphene buffer using the HT AlN nucleation layer. (C) 2019 The Japan Society of Applied Physics