Персона:
Соловьев, Алексей

Организационные подразделения

Организационная единица

Институт лазерных и плазменных технологий

Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.

Фамилия

Соловьев

Имя

Алексей

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 13

Только метаданные
Electrophysical and Photo-Electrocatalytic Properties of MoS2 Nanofilms
(2020) Fominski, V. Y.; Nevolin, V. N.; Romanov, R. I.; Rubinkovskaya, O. V.; Fominski, D. V.; Soloviev, A. A.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Неволин, Владимир Николаевич; Романов, Роман Иванович; Рубинковская, Оксана Владимировна; Фоминский, Дмитрий Вячеславович; Соловьев, Алексей
© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: MoS2 nanofilms were created by thermochemical processing (sulfurization) of thin-film Мо and МоОу precursors in S vapor. The precursor films were created by pulsed laser deposition. The obtained molybdenum disulfide films consisted of 2H-MoS2 nanocrystals with laminar packing of basal planes oriented perpendicular to the film surface. The increase in the sulfurization temperature from 500°C to 800°C provided better quality of local packing and, as a consequence, reduction of electric resistance, higher concentration of carriers (electrons) and their mobility. The application of metal oxide precursor МоОу resulted in higher efficiency of synthesis of high quality MoS2 nanofilms. The efficiency of activation of the electrochemical processes of hydrogen production in an acidic solution was lower with crystalline MoS2 nanofilms than with amorphous MoSx films. Nanocrystalline MoS2 films, however, manifested improved photo- and electrocatalytic characteristics in activation of reactions of hydrogen and oxygen evolution in an alkaline solution.
Только метаданные
Comparison of hydrogen detection by WOx/SiC and Pt/WOx/SiC structures using amperometric and potentiometric modes of measurement
(2019) Goikhman, A.; Maksimova, K.; Shvets, P.; Demin, M.; Fominski, V.; Romanov, R.; Zuev, V.; Soloviev, A.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Соловьев, Алексей
© 2018 Elsevier B.V. Hydrogen sensors were fabricated with a well-known structure, formed by depositing WOx films (with or without an additional Pt overlayer) onto SiC substrates. These sensors differed in terms of the morphology and nanostructure of the WOx films, which were pulsed laser deposited (PLD) under varying conditions. The sensory characteristics of WOx/SiC and Pt/WOx/SiC samples were analyzed using conventional current–voltage measurements. In addition, the possibility of detecting an electrical signal in these structures without applying an external voltage (EMF-powered mode) was investigated. The sensor response strongly depended on the qualities of the metal oxide film, including its strength, uniformity, continuity, and adhesion to the SiC substrate. Optimization of the PLD allowed the formation of triclinic WOx<3 and monoclinic W18O49 films with relatively good quality. The current measured at 300 °C by the amperometric method for the WOx/SiC sensors increased by 15 times (up to 24 μA at a voltage of 0.5 V) when 2% H2 was added to air. For the Pt/WOx/SiC sensors, the current increased by up to 100 times. The highest response to 2% H2 in the potentiometric mode of measurement was found for the WOx/SiC sensor containing W18O49 film. The EMF-initiated voltage increased by >27 times. The highest voltage detected for an external load of 1 kΩ was ~400 μV. The Pt film deposition markedly worsened the sensory properties of Pt/WOx/SiC structures measured by the EMF-powered mode. Possible mechanisms of the appearance of the EMF in the prepared structures are considered.
Только метаданные
Features of Pulsed Laser Annealing of BC3 Films on a Sapphire Substrate
(2019) Zinin, P. V.; Filonenko, V. P.; Fominski, V. Y.; Romanov, R. I.; Solov'ev, A. A.; Vasil'evskii, I. S.; Safonov, D. A.; Ivanov, A. A.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Соловьев, Алексей; Васильевский, Иван Сергеевич; Сафонов, Данил Андреевич; Иванов, Андрей Анатольевич
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The morphology, chemical composition, microstructure, and electrical properties of BC3 thin films subjected to melting by a nanosecond laser pulse are investigated. The original films have been created by pulsed laser codeposition of B and C onto a sapphire substrate at 150 and 350°C. Morphological changes in the films depended on their initial structural state. However, a “frozen” structure of both films after irradiation corresponded to the B-saturated graphite-like phase, the local composition of which varied due to the formation of inclusions of amorphous boron carbide. Before and after irradiation, the films exhibited a slightly decreasing dependence of the surface resistance with increasing temperature from 4.2 to 330 K. After laser irradiation, the films resistance has decreased by a factor of ~2.6.
Открытый доступ
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ФОТОКАТОДА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВОДОРОДА
(НИЯУ МИФИ, 2023) Соловьев, А.; Романов, Р. И.; Фоминский, В. Ю.; Фоминский, Д. В.; Грицкевич, М. Д.; Степанова, Т. В.; Степанова, Татьяна Владимировна; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Грицкевич, Мария Дмитриевна; Фоминский, Дмитрий Вячеславович; Соловьев, Алексей
Изобретение относится к области водородной энергетики, а именно к созданию эффективных тонкопленочных фотокатодов для электрохимической, в особенности фотоактивированной реакции расщепления воды и получения водорода. Технический результат - повышение адгезионных свойств фотокаталитического слоя к подложке и коррозионной стойкости к электролиту, а также стабильности характеристик фотокатода. Способ создания фотокатода для получения водорода включает в себя размещение подложки из стеклоуглерода в вакуумной камере, создание вакуума, нагрев подложки, нанесение на подложку пленки WO3 методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции металлической вольфрамовой мишени, охлаждение подложки, напуск в вакуумную камеру серосодержащего газа, нагрев подложки до температур 300-500°C с последующим сульфидированием. 3 ил.
Только метаданные
Pulsed laser modification of layered B-C and mixed BCx films on sapphire substrate
(2021) Zinin, P. V.; Krasnoborodko, S. Y.; Vysokikh, Y. E.; Filonenko, V. P.; Fominski, V. Y.; Romanov, R. I.; Vasil'evskii, I. S.; Safonov, D. A.; Soloviev, A. A.; Ivanov, A. A.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Сафонов, Данил Андреевич; Соловьев, Алексей; Иванов, Андрей Анатольевич
© 2021 Elsevier B.V.The effect of pulsed laser annealing (PLA, i.e., action of nanosecond laser pulses in air atmosphere) on surface morphology, structure, chemical state, and electrical properties of thin films consisting of boron and carbon atoms was studied. The nanolayered В/С and mixed ВСx~3 thin film precursors (with a thickness ~110–140 nm) were created on sapphire substrates by using the pulsed laser deposition. Scanning electron microscopy and Raman scattering measurements indicate that the process of stratification of the multilayer B/C films dominated during PLA of the films. The outer layers were removed, and closer to the substrate, the B and C layers were preserved, and they were not mixed. For the mixed ВСх films deposited at elevated temperatures, the PLA treatment enhances ordering of initially amorphous film structure. At the stage of melting of these films, oxygen (from surrounded air) penetrated inside the top layer of the film leading to the formation of a multiphase structure from g-BCx and B-doped GO/rGO after solidification. Studies of the chemical state of elements in the irradiated film have shown that О atoms, which penetrated the under-surface layers of the film, facilitated the formation of new chemical bonds in the B–C–O system. The concentration of O atoms in the depth of the film could reach 8%. The preferential oxidation of boron in a homogeneous mixture of B–C–O atoms indicated that intercalation of carbon matrix could be due to the incorporation of not only O atoms, but also B–O molecules. The laser irradiated ВСх films have a relatively low resistivity (~1.6 mΩ·cm) and semi-metallic dependence on temperature in the range 4.2–300 К. The spatial distribution of conductivity zones after PLA has an irregular structure, and its pattern looks like sand dunes, indicating that the PLA treatment leads to mixing zones of high with those of lower conductivity. The contact-tip resistivity inside the areas of high conductivity of the ВСx/Al2O3 samples may be significantly lower than that of pure graphite.
Только метаданные
Nanostructured MoS3/WSe2 Thin-Film Photocathode for Efficient Water Splitting Under Light Illumination
(2021) Nevolin, V. N.; Romanov, R. I.; Fominski, D. V.; Rubinkovskaya, O. V.; Soloviev, A. A.; Fominski, V. Y.; Неволин, Владимир Николаевич; Романов, Роман Иванович; Фоминский, Дмитрий Вячеславович; Рубинковская, Оксана Владимировна; Соловьев, Алексей; Фоминский, Вячеслав Юрьевич
© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The influence of the chemical state of a WOy thin-film precursor on formation of WSe2 nanofilms under rapid selenization on a glassy carbon substrate at 900°C is studied. A nanolayer of amorphous molybdenum sulfide (MoSx ~ 3), which has high catalytic activity in the electrochemical reaction of hydrogen evolution, is applied onto the surface of the obtained WSe2 films by pulsed laser deposition. It is shown that the composition of the WOy thin-film precursor has a significant effect on the morphology of the WSe2 nanolayers, and this characteristic largely determines the efficiency of hydrogen evolution by the MoS3/WSe2 heterostructure upon photoactivated water splitting. The most efficient hydrogen evolution is found for the MoS3/WSe2 photocathode heterostructure containing WSe2 in the form of crystal petals of ~50 nm in thickness, with these crystals oriented perpendicular to the substrate surface. A theoretical analysis of the possible effect of synergistic interaction at the MoS3/WSe2 interface on the efficiency of hydrogen evolution is carried out. Density functional theory calculations have shown that MoS3 clusters can increase the efficiency of the hydrogen evolution reaction upon contact with surface regions of WSe2 nanocrystals different in atomic packing.
Только метаданные
Comparative studies of photoactivated H2 evolution for nano-needle WO3 films with crystalline 2H-WS2 and amorphous a-MoSx co-catalysts
(2021) Romanov, R. I.; Fominski, D. V.; Rubinkovskaya, O. V.; Soloviev, A. A.; Nevolin, V. N.; Fominski, V. Yu.; Романов, Роман Иванович; Фоминский, Дмитрий Вячеславович; Рубинковская, Оксана Владимировна; Соловьев, Алексей; Неволин, Владимир Николаевич; Фоминский, Вячеслав Юрьевич
© 2021 Institute of Physics Publishing. All rights reserved.(Photo)electrocatalytic properties of nanostructured WO3 films used for H2 evolution reaction (HER) were modified by forming hybrid structures containing a crystalline 2H-WS2 and an amorphous a-MoSx phases. For this, respectively, thermochemical treatment of metal oxide films in H2S gas and reaction pulsed laser deposition of molybdenum in H2S were applied. The functional characteristics of the hybrid structures were studied in a three-electrode electrochemical cell in an acid solution under intermittent illumination with a Xe lamp. a-MoSx film deposition caused a more significant improvement in the HER activity of MoSx/WO3 structure compared to that of WS2/WO3 structure. However, WS2/WO3 structures were superior to MoSx/WO3 structures in the efficiency of the photoactivated HER. The factors that could influence the (photo)electrocatalytic behaviour of the created structures were analysed.
Только метаданные
Comparative Studies of Nanoparticles Formed by Pulsed Laser Ablation of WSe2 in Water and Alcohol
(2024) Nevolin, V. N.; Fominski, D. V.; Solovyov, A. A.; Lesnykh, D. E.; Romanov, R. I.; Fominski, V. Y.; Неволин, Владимир Николаевич; Фоминский, Дмитрий Вячеславович; Соловьев, Алексей; Лесных, Данила Эдуардович; Романов, Роман Иванович; Фоминский, Вячеслав Юрьевич
Только метаданные
Structural, electrical and mechanical properties of ВСх films prepared by pulsed laser deposition from mixed and dual boron-diamond/graphite targets
(2019) Zinin, P. V.; Bulatov, K. M.; Filonenko, V. P.; Fominski, V. Y.; Romanov, R. I.; Vasil'evskii, I. S.; Safonov, D. A.; Soloviev, A. A.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Сафонов, Данил Андреевич; Соловьев, Алексей
© 2019 Elsevier B.V. Relatively low and high deposition rates of BCх films were realized by pulsed laser ablation of mixed B–diamond and dual B–graphite targets, respectively. Deposition was performed at 500 °C and the rate of film deposition was determined with respect to the number of atomic monolayers (obviously less or more than one monolayer) grown for one laser pulse. In the case of BCх films formation with a low deposition rate, doping with B facilitated the growth of the nanocomposite structure, which possessed an increased fraction of sp3 bonds, a very low electrical resistance, and an improved mechanical performance. The change of the sheet resistance of these films as the temperature was reduced from 300 to 65 K had a metallic character. For about 95-nm-thick films with bulk compositions of BC1.7 and BC0.6, the resistivity at room temperature were approximately equal to 1.5 mΩ·cm, and the lowest resistivity of 0.23 mΩ·cm was detected for B-enriched film at 85 K. With an increase in the B atom concentration in such films, the charge carrier (holes) concentration decreased, and their mobility increased from 180 to 10,500 cm2·V−1·s−1 due to samples cooling. The application of a higher deposition rate from the dual B–graphite target activated surface migration of condensed atoms, which caused the development of granular morphology, the B segregation and the reduction of the sp3 bond fraction. The hardness and electrical conductivity of such films were obviously inferior to those of the films obtained by PLD with a low deposition rate.
Открытый доступ
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СЕНСОРА ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ВОДОРОДА
(НИЯУ МИФИ, 2022) Фоминский, В. Ю.; Фоминский, Д. В.; Соловьев, А.; Романов, Р. И.; Руднев, И. А.; Руднев, Игорь Анатольевич; Фоминский, Дмитрий Вячеславович; Соловьев, Алексей; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович
Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к датчикам измерения состава окружающей среды при высоких температурах и может быть использовано для обнаружения утечек водорода и предотвращения создания взрывоопасной воздушно-водородной смеси при использовании в водородной энергетике. Способ создания сенсора для детектирования водорода включает размещение образца из 4H-SiC в вакуумной камере, создание вакуума с последующим нанесением пленки Ni методом импульсного лазерного осаждения с последующим отжигом образца в вакууме и охлаждением образца до комнатной температуры, поворот образца другой стороной и повторное создание вакуума, напуск рабочего газа до давления 25 Па и нагрев изделия с последующим нанесением основной пленки W18O49 методом импульсного лазерного осаждения, затем создают вакуум и наносят поверх пленки W18O49 каталитическую пленку, после чего охлаждают и извлекают образец, при этом после создания вакуума до остаточного давления 10-5 Па наносят слой Ni толщиной до 100 нм в течение времени до 10 мин, затем проводят отжиг образца при температурах 500-1000°С в течение времени не менее 30 мин с последующим охлаждением образца до комнатной температуры и поворотом образца другой стороной, после поворота образца и повторного создания вакуума поверхность образца нагревают до температуры 350-800°С и затем наносят дополнительный слой ВС3 толщиной 50-100 нм при давлении 10-5 Па методом импульсного лазерного осаждения путем лазерной абляции композитной мишени, состоящей из бора и углерода в отношении 1:3, далее напускают кислород до давления 25 Па и осаждают основную пленку W18O49 толщиной до 500 нм в течение времени до 60 мин, после чего создают вакуум и наносят каталитический слой Pd при давлении 10-5 Па толщиной до 50 нм в течение времени до 1,0 мин. Изобретение обеспечивает возможность создать сенсор, обладающий повышенной чувствительностью к водороду при температурах свыше 300°С и увеличенным сроком службы, за счет увеличения толщины чувствительной к водороду пленки и улучшения ее адгезионных свойств. 3 ил.