Персона: Зебрев, Геннадий Иванович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Зебрев
Имя
Геннадий Иванович
Имя
3 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 3 из 3
- ПубликацияОткрытый доступGEANT4 simulation of nuclear interaction induced soft errors in digital nanoscale electronics: Interrelation between proton and heavy ion impacts(2019) Galimova, R. M.; Galimov, A. M.; Zebrev, G. I.; Зебрев, Геннадий Иванович© 2018 Elsevier B.V. A simple and self-consistent approach has been proposed for simulation of the proton-induced soft error rate based on the heavy ion induced single event upset cross-section data and vice versa. The approach relies on the GEANT4 assisted Monte Carlo simulation of the secondary particle LET spectra produced by nuclear interactions. The method has been validated with the relevant in-flight soft error rate data for space protons and heavy ions. An approximate analytical relation is proposed and validated for a fast recalculation between two types of experimental data.
- ПубликацияТолько метаданныеDegradation of bipolar transistors at high doses obtained at elevated temperature applied during gamma-irradiation(2019) Petrov, A. S.; Tapero, K. I.; Galimov, A. M.; Zebrev, G. I.; Зебрев, Геннадий Иванович© 2019 Elsevier LtdThe paper presents investigation results of radiation-induced change in current gain of bipolar transistors at elevated temperature applied during gamma-irradiation with high levels of dose. The regularities obtained during irradiation at elevated temperature coincide qualitatively with the data obtained previously during irradiation at low dose rate. Results of simulation confirm the possibility of applying of developed model of radiation induced degradation of bipolar transistor for irradiation at different temperatures.
- ПубликацияТолько метаданныеExtreme Value Based Estimation of Critical Single Event Failure Probability(2019) Galimov, A. M.; Fateev, I. A.; Zebrev, G. I.; Useinov, R. G.; Зебрев, Геннадий Иванович© 2019 IEEE.A new survival probability function of ICs under space ion impact is proposed. Unlike the conventional approach, the function is based on the extreme value statistics which is relevant to the critical single event effects.