Персона:
Зебрев, Геннадий Иванович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Зебрев
Имя
Геннадий Иванович
Имя

Фильтры

20191
1
Сброс фильтров

Настройки

Автор: Anashin, V. S. × Имеет файлы: Yes ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 1 из 1
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    Calibration and electric characterization of p-MNOS RADFETs at different dose rates and temperatures
    (2019) Anashin, V. S.; Zimin, P. A.; Mrozovskaya, E. V.; Chubunov, P. A.; Zebrev, G. I.; Мрозовская, Елизавета Владимировна; Чубунов, Павел Александрович; Зебрев, Геннадий Иванович
    © 2019 Elsevier B.V.This paper describes the radiation response and I-V characteristics of the stacked p-MNOS based RADFETs measured at different dose rates and irradiation temperatures. It is shown that the enhanced charge trapping takes place at the interface of the thick gate dielectrics in the MNOS transistors at low dose rates (ELDRS). The sensitivity of the radiation effect to irradiation temperature has also experimentally revealed. We associate both effects with the temperature and dose rate dependence of the effective charge yield in the thick oxides described within the framework of the previously proposed model. We have also simulated the I-V characteristics of the transistors for different total doses and irradiation conditions. It has been found the used electric and radiation models qualitatively and semi-quantitatively describe the observed dependencies of the RADFETs’ sensitivity on dose rates and irradiation temperatures for the devices with different thickness of insulators.