Персона: Чубунов, Павел Александрович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Чубунов
Имя
Павел Александрович
Имя
6 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 6 из 6
- ПубликацияТолько метаданныеThe SEE Test Results of the different analog devices(2021) Kalashnikova, A. A.; Maksimenko, T. A.; Koziukov, A. E.; Chubunov, P. A.; Чубунов, Павел АлександровичThe article presents the results of singlt event effect (SEE) testing samples of various representatives of analog microcircuits: operational amplifiers (OpAmp), relays, voltage regulators and transistor. © 2021 IEEE.
- ПубликацияТолько метаданныеVoltage Supervisors Post Heavy Ion Irradiation Behavior After Holding in SEL(2022) Vorobiev, S. L.; Bakhirko, O. A.; Bakirov, L. R.; Chubunov, P. A.; Чубунов, Павел АлександровичIn this study we performed the radiation tests on the TPS3305-18DGN and MAX6755UKLD3+T voltage supervisors to characterize its resistance to heavy ion irradiation. The paper provides the test conditions, results of parametric and functional checks and tests during and after irradiation and estimation of samples behavior after they holding in SEL state.
- ПубликацияТолько метаданныеInvestigation and Simulation of SEL Cross Sections at Different Temperatures(2022) Iakovlev, S.; Mrozovskaya, E.; Chubunov, P.; Zebrev, G. I.; Мрозовская, Елизавета Владимировна; Чубунов, Павел Александрович; Зебрев, Геннадий ИвановичIEEEThe Single Event Latchup cross sections as functions of LET in different CMOS circuits were experimentally investigated at different temperatures. A simplified simulation method for the SEL cross section temperature dependence is proposed and validated.
- ПубликацияТолько метаданныеLong-term Irradiation Effects in p-MNOS Transistor: Experiment Results(2022) Mrozovskaya, E.; Chubunov, P.; Zebrev, G.; Мрозовская, Елизавета Владимировна; Чубунов, Павел Александрович; Зебрев, Геннадий Иванович© 2022 SPIE.The dosimeters based on RADFETs are high actual for utilizing in space where the low dose rates irradiation prevails. The paper presents new experimental data on low-intensity irradiation of p-MNOS based RADFET. The obtained results were compared with the results of irradiation at high dose rates. The effect of ELDRS and the simultaneous annealing effect on different types of samples were discussed. The sensitivity of both types changed similarly at the range 1 - 100 rad(Si)/s. However, for dose rates less than 1 rad(Si)/s, the effect of the simultaneous annealing on change in the threshold voltage shift in time was clearly noticed only for samples with 500 nm oxide and absented for samples with 150 nm oxide.
- ПубликацияТолько метаданныеSET Effects in Bipolar Transistors in Wide Temperature Range(2023) Bakerenkov, A.; Felitsyn, V.; Chubunov, P. A.; Skorkin, I.; Чубунов, Павел Александрович
- ПубликацияТолько метаданныеTemperature Dependence of Surface Recombination Current in Bipolar Transistors(2023) Bakerenkov, A.; Felitsyn, V.; Chubunov, P.; Skorkin, I.; Чубунов, Павел Александрович